Ефремов А.М.

Ефремов
Александр
Михайлович
Подразделение: 
Кафедра технологии приборов и материалов электронной техники
Уникальный цифровой идентификатор автора в международной системе OrcID: 
0000-0002-9125-0763
Идентификатор автора на сайте Publons, для работы со списком публикаций и цитирований Web of Science: 
S-7001-2016
Идентификатор автора в базе данных Scopus: 
7102050783
Общее число публикаций на elibrary.ru: 
237
Число публикаций в российских журналах из перечня ВАК: 
103
Год первой публикации: 
1989
Число соавторов: 
101
Число публикаций за последние 5 лет: 
64
Суммарное число цитирований из публикаций на elibrary.ru: 
1601
Число публикаций, процитировавших работы автора: 
560
Число ссылок на самую цитируемую публикацию: 
84
Среднее число цитирований в расчете на одну публикацию: 
6,46
Индекс Хирша по публикациям в РИНЦ: 
18
Индекс Хирша по всем публикациям на elibrary.ru: 
18
Средневзвешенный импакт-фактор журналов, в которых были опубликованы статьи: 
1,056
Средневзвешенный импакт-фактор журналов, в которых были процитированы статьи: 
1,186

Список публикаций

  1. ПЛАЗМОХИМИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В СМЕСИ CF4 + O2 + AR C ПЕРЕМЕННЫМ СООТНОШЕНИЕМ КОМПОНЕНТОВ AR/O2 И CF4/O2
    Соболев А.М.
    В книге: Физика, техника и технология сложных систем. Тезисы докладов Всероссийской с международным участием молодежной научно-практической конференции. Под редакцией С.П. Зимина, А.С. Гвоздарёва. 2019. С. 17-18.
  2. PLASMA PARAMETERS, GAS-PHASE CHEMISTRY AND SI/SIO 2 ETCHING MECHANISMS IN HBR+CL 2 +O 2 GAS MIXTURE: EFFECT OF HBR/O 2 MIXING RATIO
    Lee B.J., Kwon K.H., Efremov A.
    Vacuum. 2019. Т. 163. С. 110-118.
  3. ETCHING MECHANISMS AND SURFACE CONDITIONS FOR SIO X N Y THIN FILMS IN CF 4 + CHF 3 + O 2 INDUCTIVELY COUPLED PLASMA
    Lee J., Kim J., Kim C., Kwon K.H., Efremov A., Lee H.W.
    Plasma Chemistry and Plasma Processing. 2019.
  4. ETCHING KINETICS AND MECHANISMS OF SIC THIN FILMS IN F-, CL- AND BR-BASED PLASMA CHEMISTRIES
    Lee B.J., Lee J., Kwon K.H., Efremov A.
    Plasma Chemistry and Plasma Processing. 2019. Т. 39. № 1. С. 325-338.
  5. PECULIARITIES OF SI AND SIO 2 ETCHING KINETICS IN HBR + CL 2 + O 2 INDUCTIVELY COUPLED PLASMA
    Lee B.J., Kim J., Kim C., Kwon K.H., Efremov A.
    Plasma Chemistry and Plasma Processing. 2019. Т. 39. № 1. С. 339-358.
  6. PLASMA PARAMETERS, DENSITIES OF ACTIVE SPECIES AND ETCHING KINETICS IN C4F8+AR GAS MIXTURE
    Efremov A.M., Murin D.B., Kwon K.H.
    Известия высших учебных заведений. Серия: Химия и химическая технология. 2019. Т. 62. № 2. С. 31-37.
  7. ОСОБЕННОСТИ КИНЕТИКИ ОБЪЕМНЫХ И ГЕТЕРОГЕННЫХ ПРОЦЕССОВ В ПЛАЗМЕ СМЕСЕЙ CHF3 + AR И C4F8 + AR
    Мурин Д.Б., Ефремов А.М., Kwon K.H.
    Микроэлектроника. 2019. Т. 48. № 2. С. 125-133.
     
  8. ГАЗОФАЗНЫЕ И ГЕТЕРОГЕННЫЕ ПРОЦЕССЫ В ПЛАЗМЕ ФТОРУГЛЕРОДНЫХ ГАЗОВ
    Ефремов А.М., Мурин Д.Б., Беляев С.В., Снегирев Д.Г.
    В сборнике: АКТУАЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ ЕСТЕСТВОЗНАНИЯ. Сборник материалов III Всероссийской научно-практической конференции с международным участием. Сост.: Н.Е. Егорова. 2018. С. 17-21.
  9. KINETICS AND MECHANISMS FOR ION-ASSISTED ETCHING OF INP THIN FILMS IN HBR + CL2 + AR INDUCTIVELY COUPLED PLASMA WITH VARIOUS HBR/CL2 MIXING RATIOS
    Kim C., Lee J., Kwon K.H., Efremov A., Han I.K., Kim Y.H.
    Thin Solid Films. 2018. Т. 660. С. 590-595.
  10. ON THE RELATIONSHIPS BETWEEN PLASMA CHEMISTRY, ETCHING KINETICS AND ETCHING RESIDUES IN CF4+C4F8+AR AND CF4+CH2F2+AR PLASMAS WITH VARIOUS CF4/C4F8 AND CF4/CH2F2 MIXING RATIOS
    Lee J., Kwon K.-H., Efremov A.
    Vacuum. 2018. Т. 148. С. 214-223.
  11. ON THE EFFECT OF THE RATIO OF CONCENTRATIONS OF FLUOROCARBON COMPONENTS IN A CF4 + C4F8 + AR MIXTURE ON THE PARAMETERS OF PLASMA AND SIO2/SI ETCHING SELECTIVITY
    Efremov A.M., Murin D.B., Kwon K.H.
    Russian Microelectronics. 2018. Т. 47. № 4. С. 239-246.
  12. PLASMA PARAMETERS AND ACTIVE SPECIES KINETICS IN CF4+C4F8+AR GAS MIXTURE
    Efremov A.M., Murin D.B., Kwon K.H.
    Известия высших учебных заведений. Серия: Химия и химическая технология. 2018. Т. 61. № 4-5. С. 31-36.
  13. О МЕХАНИЗМАХ УВЕЛИЧЕНИЯ СТЕПЕНИ ДИССОЦИАЦИИ HCL В ПЛАЗМЕ ТЛЕЮЩЕГО РАЗРЯДА
    Ефремов А.М., Мурин Д.Б., Беляев С.В.
    Известия высших учебных заведений. Серия: Химия и химическая технология. 2018. Т. 61. № 7. С. 62-67.
  14. О ВЛИЯНИИ СООТНОШЕНИЯ КОНЦЕНТРАЦИЙ ФТОРУГЛЕРОДНЫХ КОМПОНЕНТОВ В СМЕСИ CF4+C4F8+AR НА ПАРАМЕТРЫ ПЛАЗМЫ И СЕЛЕКТИВНОСТЬ ТРАВЛЕНИЯ SIO2/SI
    Kwon K.H., Мурин Д.Б., Ефремов А.М.
    Микроэлектроника. 2018. Т. 47. № 4. С. 21-27.
  15. ПАРАМЕТРЫ ПЛАЗМЫ И КИНЕТИКА АКТИВНЫХ ЧАСТИЦ В СМЕСЯХ CF4 (CHF3)+ AR ПЕРЕМЕННОГО НАЧАЛЬНОГО СОСТАВА
    Ефремов А.М., Kwon K.H., Мурин Д.Б.
    Микроэлектроника. 2018. Т. 47. № 6. С. 414-423.
     
  16. ПЛАЗМОХИМИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ТЕХНИКЕ И ТЕХНОЛОГИИ
    Ефремов А.М., Беляев С.В., Снегирев Д.Г.
    Пожарная и аварийная безопасность. 2018. № 1 (8). С. 64-75.
  17. МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ КАК ЭФФЕКТИВНЫЙ ИНСТРУМЕНТ ИССЛЕДОВАНИЯ ГАЗОРАЗРЯДНОЙ ПЛАЗМЫ
    Ефремов А.М., Беляев С.В., Снегирев Д.Г., Титова Е.С.
    В сборнике: АКТУАЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ ЕСТЕСТВОЗНАНИЯ. Материалы II Межвузовской научно-практической конференции. Составитель: Н. Е. Егорова. 2017. С. 43-46.
  18. О ВЫБОРЕ КОНСТРУКЦИОННЫХ МАТЕРИАЛОВ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО РЕАКТОРА ДЛЯ КОНВЕРСИИ ТОКСИЧНЫХ ГАЗОВ
    Ефремов А.M., Мурин Д.Б., Снегирев Д.Г.
    В сборнике: ПОЖАРНАЯ И АВАРИЙНАЯ БЕЗОПАСНОСТЬ. СБОРНИК МАТЕРИАЛОВ XII МЕЖДУНАРОДНОЙ НАУЧНО-ПРАКТИЧЕСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ, ПОСВЯЩЕННОЙ ГОДУ ГРАЖДАНСКОЙ ОБОРОНЫ. 2017. С. 471-474.
  19. О ВОЗМОЖНОСТИ АНАЛИТИЧЕСКОГО ОПИСАНИЯ ПЛАЗМЫ АРГОНА В УСЛОВИЯХ ТИПОВОГО ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО РЕАКТОРА
    Ефремов А.М., Любимов А.О., Матвеев М.О.
    В сборнике: АКТУАЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ ЕСТЕСТВОЗНАНИЯ. Материалы II Межвузовской научно-практической конференции. Составитель: Н. Е. Егорова. 2017. С. 53-56.
  20. A COMPARATIVE STUDY OF CF4, CL2 AND HBR + AR INDUCTIVELY COUPLED PLASMAS FOR DRY ETCHING APPLICATIONS
    Lee J., Kwon K.-H., Efremov A.
    Thin Solid Films. 2017. Т. 629. С. 39-48.
  21. ON THE CONTROL OF PLASMA PARAMETERS AND ACTIVE SPECIES KINETICS IN CF4 + O2 + AR GAS MIXTURE BY CF4/O2 AND O2/AR MIXING RATIOS
    Efremov A., Lee J., Kim J.
    Plasma Chemistry and Plasma Processing. 2017. Т. 37. № 5. С. 1445-1462.
  22. ON THE ETCHING MECHANISMS OF SIC THIN FILMS IN CF4/CH2F2/N2/AR INDUCTIVELY COUPLED PLASMA
    Lee J., Kwon K.-H., Efremov A., Kim K.
    Plasma Chemistry and Plasma Processing. 2017. Т. 37. № 2. С. 489-509.
  23. ОБ ЭФФЕКТИВНОСТИ РАЗЛОЖЕНИЯ ГАЛОГЕНВОДОРОДОВ В НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЙ ПЛАЗМЕ
    Ефремов А.М., Беляев С.В., Снегирев Д.Г., Титова Е.С.
    Пожарная и аварийная безопасность. 2017. № 4 (7). С. 71-81.
  24. PLASMA PARAMETERS AND ACTIVE SPECIES KINETICS IN CF4/O2/AR GAS MIXTURE: EFFECTS OF CF4/O2 AND O2/AR MIXING RATIOS
    Lee J., Kwon K.-H., Efremov A.
    В сборнике: International Conference on Micro- and Nano-Electronics (ICMNE 2016). Сер. "Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering" 2016. С. 102241U.
  25. COMPARATIVE STUDY OF CF4- AND CHF3-BASED PLASMAS FOR DRY ETCHING APPLICATIONS
    Efremov A., Morgunov A., Shabadarova D., Kwon K.-H.
    В сборнике: International Conference on Micro- and Nano-Electronics (ICMNE 2016). Сер. "Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering" 2016. С. 102241W.
  26. COMPARATIVE STUDY OF CF4- AND CHF3- BASED PLASMAS FOR DRY ETCHING APPLICATIONS
    Efremov A.M., Kwon K.H., Morgunov A., Shabadarova D.
    В книге: Микро- и наноэлектроника - 2016. Труды международной конференции. Под редакцией В.Ф. Лукичева, К.В. Руденко. Составитель В.П. Кудря. 2016. С. 112.
  27. PLASMA PARAMETERS AND ACTIVE SPECIES KINETICS IN CF4/O2/AR GAS MIXTURE: EFFECTS OF CF4/O2 AND O2/AR MIXING RATIOS
    Lee J., Kwon K.H., Efremov A.M.
    В книге: Микро- и наноэлектроника - 2016. Труды международной конференции. Под редакцией В.Ф. Лукичева, К.В. Руденко. Составитель В.П. Кудря. 2016. С. 135.
  28. КИНЕТИКА И КОНЦЕНТРАЦИИ АКТИВНЫХ ЧАСТИЦ В ВЧ ПЛАЗМЕ CHF3-AR
    Моргунов А.В., Ефремов А.М., Мурин Д.Б.
    В книге: УСПЕХИ ХИМИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ. Сборник тезисов докладов на III Всероссийской молодежной конференции. 2016. С. 35.
  29. ПЛАЗМЕННАЯ ДЕСТРУКЦИЯ ХЛОРИСТОГО ВОДОРОДА В СМЕСЯХ С ИНЕРТНЫМИ ГАЗАМИ
    Ефремов А.M., Беляев С.В., Снегирев Д.Г., Титова Е.С.
    В сборнике: Пожарная и аварийная безопасность. сборник материалов XI Международной научно-практической конференции, посвященной Году пожарной охраны. 2016. С. 395-398.
  30. ОПТИМИЗАЦИЯ РЕЖИМОВ ПЛАЗМЕННОЙ КОНВЕРСИИ ХЛОРИСТОГО ВОДОРОДА: ПОДХОДЫ И РЕШЕНИЯ
    Ефремов А.M., Беляев С.В., Снегирев Д.Г., Титова Е.С.
    В сборнике: Пожарная и аварийная безопасность. сборник материалов XI Международной научно-практической конференции, посвященной Году пожарной охраны. 2016. С. 398-402.
  31. ОРГАНИЗАЦИЯ НАУЧНОЙ РАБОТЫ В КАДЕТСКОМ ПОЖАРНО-СПАСАТЕЛЬНОМ КОРПУСЕ
    Андреева А.П., Буренин С.В., Ефремов А.М., Камардин Т.А.
    В сборнике: Пожарная и аварийная безопасность. сборник материалов XI Международной научно-практической конференции, посвященной Году пожарной охраны. 2016. С. 463-465.
  32. ЕДИНЫЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭКЗАМЕН - АНАЛИЗ РЕЗУЛЬТАТОВ ГОСУДАРСТВЕННОЙ ИТОГОВОЙ АТТЕСТАЦИИ В КАДЕТСКОМ ПОЖАРНО-СПАСАТЕЛЬНОМ КОРПУСЕ
    Андреева А.П., Буренин С.В., Ефремов А.М.
    В сборнике: Пожарная и аварийная безопасность. сборник материалов XI Международной научно-практической конференции, посвященной Году пожарной охраны. 2016. С. 471-473.
  33. AMMONIA-BASED PLASMA TREATMENT OF SINGLE-WALLED CARBON NANOTUBE THIN FILMS FOR BIO-IMMOBILIZATION
    Lee J., Kwon K.-H., Efremov A., Son R.G., Pack S.P., Lee H.W., Kim K.
    Carbon. 2016. Т. 105. С. 430-437.
  34. ETCHING CHARACTERISTICS AND MECHANISMS OF TIO2 THIN FILMS IN CF4 + AR, CL2 + AR AND HBR + AR INDUCTIVELY COUPLED PLASMAS
    Lee J., Lee B.J., Kwon K.-H., Efremov A.
    Plasma Chemistry and Plasma Processing. 2016. Т. 36. № 6. С. 1571-1588.
  35. ON THE POSSIBILITY OF PLASMA CHEMICAL CONVERSION OF HYDROGEN CHLORIDE
    Efremov A.M., Titova E.S.
    Russian Journal of General Chemistry. 2016. Т. 86. № 2. С. 478-483.
  36. COMPARATIVE STUDY OF PLASMA PARAMETERS AND COMPOSITIONS IN CF4, CL2 AND HBR + AR GAS MIXTURES
    Ефремов А.М., Kwon K.H., Шабадарова Д.А.
    Известия высших учебных заведений. Серия: Химия и химическая технология. 2016. Т. 59. № 10. С. 11-18.
  37. КИНЕТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПРОЦЕССОВ ПОД ДЕЙСТВИЕМ ЭЛЕКТРОННОГО УДАРА В BCL3
    Ефремов А.М., Шабадаров С.С.
    Известия высших учебных заведений. Серия: Химия и химическая технология. 2016. Т. 59. № 3. С. 31-34.
  38. КИНЕТИКА НЕЙТРАЛЬНЫХ ЧАСТИЦ В ПЛАЗМЕ HCL И HBR В УСЛОВИЯХ НИЗКИХ ДАВЛЕНИЙ И ВЫСОКИХ КОНЦЕНТРАЦИЙ ЭЛЕКТРОНОВ
    Ефремов А.М.
    Микроэлектроника. 2016. Т. 45. № 4. С. 298-304.
     
  39. КИНЕТИКА РОСТА И ПЛАЗМЕННОЙ ДЕСТРУКЦИИ ПОЛИМЕРНЫХ ПЛЕНОК, ОСАЖДАЕМЫХ В ТЛЕЮЩЕМ РАЗРЯДЕ В МЕТАНЕ
    Баринов С.М., Ефремов А.М.
    Микроэлектроника. 2016. Т. 45. № 2. С. 98-104.
     
  40. ETCHING CHARACTERISTICS OF SIC, SIO2, AND SI IN CF4/CH2F2/N2/AR INDUCTIVELY COUPLED PLASMA: EFFECT OF CF4/CH2F2 MIXING RATIO
    Lee J., Kwon K.-H., Efremov A., Kim K.
    Japanese Journal of Applied Physics. 2016. Т. 55. № 10. С. 106201.
  41. ETCHING CHARACTERISTICS AND MECHANISMS OF MOS2 2D CRYSTALS IN O2/AR INDUCTIVELY COUPLED PLASMA
    Lee B.J., Kwon K.-H., Yang J.-W., Efremov A.
    Journal of Nanoscience and Nanotechnology. 2016. Т. 16. № 11. С. 11201-11209.
  42. ETCHING CHARACTERISTICS OF CARBON NANOTUBE THIN FILMS IN O2/AR PLASMA
    Lee J., Kwon K.-H., Efremov A., Kim K.
    Journal of Nanoscience and Nanotechnology. 2016. Т. 16. № 11. С. 12021-12027.
  43. КИНЕТИКА ОКИСЛИТЕЛЬНОЙ ДЕСТРУКЦИИ ХЛОРИСТОГО ВОДОРОДА
    Ефремов А.М., Беляев С.В., Снегирев Д.Г., Титова Е.С.
    Пожарная и аварийная безопасность. 2016. № 3.
  44. КИНЕТИКА И МЕХАНИЗМЫ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОЙ ДЕСТРУКЦИИ ХЛОРИСТОГО ВОДОРОДА
    Ефремов А.М., Беляев С.В., Титова Е.С.
    Пожарная и аварийная безопасность. 2016. № 1 (1). С. 56-67.
  45. КИНЕТИКА ОКИСЛИТЕЛЬНОЙ ДЕСТРУКЦИИ ХЛОРИСТОГО ВОДОРОДА
    Ефремов А.М., Беляев С.В., Снегирев Д.Г.
    Пожарная и аварийная безопасность. 2016. № 3 (3). С. 70-85.
  46. ПЛАЗМОХИМИЧЕСКАЯ КОНВЕРСИЯ ОПАСНЫХ ГАЗОВ
    Ефремов А.М., Беляев С.В., Титова Е.С.
    В сборнике: Пожарная и аварийная безопасность. Материалы X Международной научно-практической конференции, посвященной 25-летию МЧС России. Под общей редакцией И.А. Малого. 2015. С. 209-213.
  47. ИНФОРМАЦИОННО-КОММУНИКАЦИОННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ В ОБРАЗОВАТЕЛЬНОМ ПРОЦЕССЕ КАДЕТСКОГО ПОЖАРНО-СПАСАТЕЛЬНОГО КОРПУСА
    Ефремов А.М., Малый И.А., Батунова И.В., Буренин С.В.
    В сборнике: Пожарная и аварийная безопасность. Материалы X Международной научно-практической конференции, посвященной 25-летию МЧС России. Под общей редакцией И.А. Малого. 2015. С. 294-295.
  48. A COMPARATIVE STUDY OF CF4/O2/AR AND C4F8/O2/AR PLASMAS FOR DRY ETCHING APPLICATIONS
    Chun I., Kwon K.-H., Efremov A., Yeom G.Y.
    Thin Solid Films. 2015. Т. 579. С. 136-143.
  49. A MODEL-BASED COMPARATIVE STUDY OF HCL AND HBR PLASMA CHEMISTRIES FOR DRY ETCHING PURPOSES
    Efremov A., Kim J.H., Kwon K.-H.
    Plasma Chemistry and Plasma Processing. 2015. Т. 35. № 6. С. 1129-1142.
  50. ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ПЛАЗМЫ БИНАРНЫХ СМЕСЕЙ HCL+AR, HE, H2, O2 И CL2
    Ефремов А.М., Мурин Д.Б.
    Известия высших учебных заведений. Серия: Химия и химическая технология. 2015. Т. 58. № 4. С. 14-18.
  51. О ВЛИЯНИИ ТЕМПЕРАТУРЫ ГАЗА НА КИНЕТИКУ НЕЙТРАЛЬНЫХ ЧАСТИЦ В ГАЗОРАЗРЯДНОЙ ПЛАЗМЕ ХЛОРИСТОГО ВОДОРОДА
    Ефремов А.М., Беляев С.В., Титова Е.С.
    Известия высших учебных заведений. Серия: Химия и химическая технология. 2015. Т. 58. № 12. С. 25-29.
  52. ПАРАМЕТРЫ ПЛАЗМЫ И МЕХАНИЗМЫ ТРАВЛЕНИЯ МЕТАЛЛОВ И ПОЛУПРОВОДНИКОВ В СМЕСЯХ HCL + AR, H2, O2 И CL2
    Ефремов А.М., Мурин Д.Б.
    Микроэлектроника. 2015. Т. 44. № 5. С. 338-345.
     
  53. ВЛИЯНИЕ НАЧАЛЬНОГО СОСТАВА СМЕСИ МЕТАН–АРГОН НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ И СОСТАВ ПЛАЗМЫ ТЛЕЮЩЕГО РАЗРЯДА ПОСТОЯННОГО ТОКА
    Ефремов А.М., Семенова О.А., Баринов С.М.
    Теплофизика высоких температур. 2015. Т. 53. № 2. С. 174.
     
  54. ПАРАМЕТРЫ ПЛАЗМЫ И КИНЕТИКА ТРАВЛЕНИЯ GAAS В ГАЗОВЫХ СМЕСЯХ HCL С ДОБАВКАМИ AR, H 2 И CL 2 ПЕРЕМЕННОГО НАЧАЛЬНОГО СОСТАВА
    Ефремов А.М., Дунаев А.В., Мурин Д.Б.
    Физика и химия обработки материалов. 2015. № 6. С. 52-61.
  55. КИНЕТИКА ГЕТЕРОГЕННОЙ ГИБЕЛИ АТОМОВ ХЛОРА И ВОДОРОДА В ПЛАЗМЕ БИНАРНЫХ СМЕСЕЙ HCL + AR, H2, O2 И CL2
    Ефремов А.М., Мурин Д.Б.
    Химия высоких энергий. 2015. Т. 49. № 4. С. 318.
     
  56. APPLICATION OF SI AND SIO2 ETCHING MECHANISMS IN CF4/C4F8/AR INDUCTIVELY COUPLED PLASMAS FOR NANOSCALE PATTERNS
    Lee J., Lim N., Kwon K.-H., Efremov A., Yeom G.Y.
    Journal of Nanoscience and Nanotechnology. 2015. Т. 15. № 10. С. 8340-8347.
  57. SILICON SURFACE MODIFICATION USING C4F8 + O2 PLASMA FOR NANO-IMPRINT LITHOGRAPHY
    Lee J., Kwon K.H., Efremov A., Yeom G.Y.
    Journal of Nanoscience and Nanotechnology. 2015. Т. 15. № 11. С. 8749-8755.
  58. ETCHING MECHANISMS OF (IN, GA, ZN)O THIN FILMS IN CF4/AR/O2 INDUCTIVELY COUPLED PLASMA
    Kim K., Efremov A., Lee J., Kwon K.-H., Yeom G.Y.
    Journal of Vacuum Science and Technology A. 2015. Т. 33. № 3. С. 031601.
  59. ПЕРСПЕКТИВЫ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОЙ УТИЛИЗАЦИИ ХЛОРИСТОГО ВОДОРОДА
    Ефремов А.М., Титова Е.С.
    В сборнике: Пожарная и аварийная безопасность. материалы IX Международной научно-практической конференции. 2014. С. 217-221.
  60. DRY ETCHING CHARACTERISTICS OF MO AND AL2O3 FILMS IN O2/CL2/AR INDUCTIVELY COUPLED PLASMAS
    Kwon K.H., Chun I., Efremov A., Yun S.J., Kim K.
    Thin Solid Films. 2014. Т. 552. С. 105-110.
  61. ON THE LPCVD-FORMED SIO2 ETCHING MECHANISM IN CF 4/AR/O2 INDUCTIVELY COUPLED PLASMAS: EFFECTS OF GAS MIXING RATIOS AND GAS PRESSURE
    Son J., Chun I., Kwon K.-H., Efremov A., Yeom G.Y.
    Plasma Chemistry and Plasma Processing. 2014. Т. 34. № 2. С. 239-257.
  62. КИНЕТИКА И КОНЦЕНТРАЦИИ НЕЙТРАЛЬНЫХ ЧАСТИЦ В ПЛАЗМЕ ТЛЕЮЩЕГО РАЗРЯДА ПОСТОЯННОГО ТОКА В МЕТАНЕ
    Семенова О.А., Ефремов А.М., Баринов С.М., Светцов В.И.
    Известия высших учебных заведений. Серия: Химия и химическая технология. 2014. Т. 57. № 7. С. 46-49.
  63. ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ И КОНЦЕНТРАЦИИ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ В ПЛАЗМЕ СМЕСЕЙ МЕТАНА С АРГОНОМ
    Ефремов А.М., Семенова О.А., Баринов С.М.
    Известия высших учебных заведений. Серия: Химия и химическая технология. 2014. Т. 57. № 8. С. 7-11.
  64. КИНЕТИКА И РЕЖИМЫ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ GAAS В УСЛОВИЯХ ИНДУКЦИОННОГО ВЧ РАЗРЯДА В CF2CL2
    Ефремов А.М., Мурин Д.Б., Левенцов А.Е.
    Микроэлектроника. 2014. Т. 43. № 6. С. 429.
     
  65. О ВОЗМОЖНОСТИ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОЙ КОНВЕРСИИ ХЛОРИСТОГО ВОДОРОДА
    Ефремов А.М., Титова Е.С.
    Российский химический журнал. 2014. Т. LVIII. № 2. С. 1.
  66. О ВОЗМОЖНОСТИ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОЙ КОНВЕРСИИ ХЛОРИСТОГО ВОДОРОДА
    Ефремов А.М., Титова Е.С.
    Российский химический журнал. 2014. Т. 58. № 2. С. 68-73.
  67. Семенова О.А., Ефремов А.М., Баринов С.М., Светцов В.И.
    Теплофизика высоких температур. 2014. Т. 52. № 2. С. 1.
  68. КИНЕТИКА И КОНЦЕНТРАЦИИ АКТИВНЫХ ЧАСТИЦ В НЕРАВНОВЕСНОЙ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЙ ПЛАЗМЕ МЕТАНА
    Семенова О.А., Ефремов А.М., Баринов С.М., Светцов В.И.
    Теплофизика высоких температур. 2014. Т. 52. № 3. С. 357.
     
  69. ETCHING CHARACTERISTICS AND MECHANISMS OF MO THIN FILMS IN CL2/AR AND CF4/AR INDUCTIVELY COUPLED PLASMAS
    Lim N., Kwon K.-H., Efremov A., Yeom G.Y., Choi B.-G.
    Japanese Journal of Applied Physics. 2014. Т. 53. № 11. С. 116201.
  70. ETCHING CHARACTERISTICS AND MECHANISM OF SINX FILMS FOR NANO-DEVICES IN CH2F2/O2/AR INDUCTIVELY COUPLED PLASMA: EFFECT OF O2 MIXING RATIO
    Son J., Kwon K.-H., Efremov A., Yun S.J., Yeom G.Y.
    Journal of Nanoscience and Nanotechnology. 2014. Т. 14. № 12. С. 9534-9540.
  71. ON THE ETCHING CHARACTERISTICS AND MECHANISMS OF HFO2 THIN FILMS IN CF4/O2/AR AND CHF3/O2/AR PLASMA FOR NANO-DEVICES
    Lim N., Kwon K.-H., Efremov A., Yeom G.Y.
    Journal of Nanoscience and Nanotechnology. 2014. Т. 14. № 12. С. 9670-9679.
  72. НЕРАВНОВЕСНАЯ ПЛАЗМА ХЛОРА
    Ефремов А.М., Светцов В.И.
    Свойства и применение / Москва, 2013.
  73. DEGRADATION AND MODIFICATION OF STAINLESS-STEEL SURFACE USING CL 2/AR INDUCTIVELY COUPLED PLASMA
    Jang H., Kwon K.H., Efremov A., Yun S.J., Yeom G.Y., Kim K.B.
    Applied Surface Science. 2013. Т. 279. С. 41-45.
  74. SYNTHESIS OF TYPE A ZEOLITE FROM MECHANOACTIVATED METAKAOLIN MIXTURES
    ProkofEv V.Y., Gordina N.E., Efremov A.M.
    Journal of Materials Science. 2013. Т. 48. № 18. С. 6276-6285.
  75. ETCHING CHARACTERISTICS AND MECHANISMS OF MO AND AL2O 3 THIN FILMS IN O2/CL2/AR INDUCTIVELY COUPLED PLASMAS: EFFECT OF GAS MIXING RATIOS
    Kang S., Son J., Kwon K.H., Efremov A., Yun S.J.
    Plasma Chemistry and Plasma Processing. 2013. Т. 33. № 2. С. 527-538.
  76. ИНТЕНСИВНОСТИ ИЗЛУЧЕНИЯ И КОНЦЕНТРАЦИИ АКТИВНЫХ ЧАСТИЦ В ПЛАЗМЕ ТЛЕЮЩЕГО РАЗРЯДА В СМЕСЯХ ХЛОРИСТОГО ВОДОРОДА С АРГОНОМ И ГЕЛИЕМ
    Мурин Д.Б., Ефремов А.М., Светцов В.И., Пивоваренок С.А., Овцын А.А., Шабадаров С.С.
    Известия высших учебных заведений. Серия: Химия и химическая технология. 2013. Т. 56. № 4. С. 29-32.
  77. ИНТЕНСИВНОСТИ ИЗЛУЧЕНИЯ И КОНЦЕНТРАЦИИ НЕЙТРАЛЬНЫХ ЧАСТИЦ В ПЛАЗМЕ ТЛЕЮЩЕГО РАЗРЯДА ПОСТОЯННОГО ТОКА В СМЕСЯХ HCL-H 2 И HCL-O 2
    Мурин Д.Б., Ефремов А.М., Светцов В.И., Пивоваренок С.А., Годнев Е.М.
    Известия высших учебных заведений. Серия: Химия и химическая технология. 2013. Т. 56. № 8. С. 41-44.
  78. ВЕРОЯТНОСТИ ГЕТЕРОГЕННОЙ РЕКОМБИНАЦИИ АТОМОВ В ПЛАЗМЕ СМЕСЕЙ HCL C ИНЕРТНЫМИ И МОЛЕКУЛЯРНЫМИ ГАЗАМИ
    Мурин Д.Б., Ефремов А.М., Светцов В.И.
    Известия высших учебных заведений. Серия: Химия и химическая технология. 2013. Т. 56. № 10. С. 45-47.
  79. СПЕКТРАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ПЛАЗМЫ ТЛЕЮЩЕГО РАЗРЯДА В МЕТАНЕ И ЕГО СМЕСЯХ С АРГОНОМ
    Баринов С.М., Светцов В.И., Ефремов А.М.
    Известия высших учебных заведений. Серия: Химия и химическая технология. 2013. Т. 56. № 1. С. 62-65.
  80. ПАРАМЕТРЫ ПЛАЗМЫ И МЕХАНИЗМЫ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ GAAS В СМЕСЯХ HCL С АРГОНОМ И ХЛОРОМ
    Дунаев А.В., Пивоваренок С.А., Ефремов А.М., Светцов В.И., Капинос С.П., Юдина А.В.
    Микроэлектроника. 2013. Т. 42. № 4. С. 271.
     
  81. ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ И КОНЦЕНТРАЦИИ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ В ПЛАЗМЕ МЕТАНА
    Семенова О.А., Ефремов А.М., Баринов С.М., Кучумов А.А., Светцов В.И.
    Микроэлектроника. 2013. Т. 42. № 5. С. 375.
     
  82. ЗАКОНОМЕРНОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ И СОСТАВА НЕИЗОТЕРМИЧЕСКОЙ ПЛАЗМЫ ГАЛОГЕНОВОДОРОДОВ
    Ефремов А.М., Светцов В.И.
    Российский химический журнал. 2013. Т. 57. № 3-4. С. 60-69.
  83. ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ И СОСТАВ ПЛАЗМЫ В СМЕСЯХ HCL N2
    Ефремов А.М., Давлятшина А.А., Светцов В.И.
    Теплофизика высоких температур. 2013. Т. 51. № 1. С. 6.
     
  84. КИНЕТИКА И КОНЦЕНТРАЦИИ АТОМОВ ХЛОРА В ПЛАЗМЕ СМЕСЕЙ HСL–AR
    Ефремов А.М., Юдина А.В., Мурин Д.Б., Дементьев О.С., Светцов В.И.
    Химия высоких энергий. 2013. Т. 47. № 2. С. 147.
     
  85. Efremov A.M., Yudina A.V., Davlyatshina A.A., Murin D.B., Svetsov V.I.
    Progress in Biomedical Optics and Imaging. 2013. Т. 8700. С. 870003.
  86. THE EFFECTS OF ADDITIVE GASES (AR, N2, H2, CL 2, O2) ON HCL PLASMA PARAMETERS AND COMPOSITION
    Efremov A., Yudina A., Davlyatshina A., Murin D., Svettsov V.
    В сборнике: Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering. Сер. "International Conference Micro- and Nano-Electronics 2012" 2012. С. 870003.
  87. MECHANOCHEMICAL SYNTHESIS OF GRANULATED LTA ZEOLITE FROM METAKAOLIN
    Prokofév V.Yu., Gordina N.E., Zhidkova A.B., Efremov A.M.
    Journal of Materials Science. 2012. Т. 47. № 14. С. 5385-5392.
  88. ETCHING CHARACTERISTICS AND MECHANISMS OF TIO2 THIN FILMS IN HBR/AR AND CL2/AR INDUCTIVELY-COUPLED PLASMAS
    Jang H., Kim D., Kang S., Kwon K.H., Efremov A., Yun S.J.
    Plasma Chemistry and Plasma Processing. 2012. Т. 32. № 2. С. 333-342.
  89. КИНЕТИЧЕСКИЕ И ТРАНСПОРТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПРОЦЕССОВ ПОД ДЕЙСТВИЕМ ЭЛЕКТРОННОГО УДАРА В МЕТАНЕ
    Семенова О.А., Ефремов А.М., Светцов В.И.
    Известия высших учебных заведений. Серия: Химия и химическая технология. 2012. Т. 55. № 7. С. 44-47.
  90. ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ПЛАЗМЫ ТЛЕЮЩЕГО РАЗРЯДА ПОСТОЯННОГО ТОКА В СМЕСЯХ HCL-O2
    Ефремов А.М., Давлятшина А.А., Светцов В.И.
    Известия высших учебных заведений. Серия: Химия и химическая технология. 2012. Т. 55. № 4. С. 71-75.
  91. ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ И СОСТАВ ПЛАЗМЫ HCL O2
    Ефремов А.М., Давлятшина А.А., Светцов В.И.
    Микроэлектроника. 2012. Т. 41. № 6. С. 399.
  92. ИССЛЕДОВАНИЕ КИНЕТИКИ ПОЛИМЕРИЗАЦИОННЫХ ПРОЦЕССОВ В ПЛАЗМЕ МЕТАНА МЕТОДОМ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ЗОНДОВ
    Баринов С.М., Светцов В.И., Ефремов А.М.
    Микроэлектроника. 2012. Т. 41. № 6. С. 409.
  93. ВЛИЯНИЕ ДОБАВОК AR И HE НА ПАРАМЕТРЫ И СОСТАВ ПЛАЗМЫ HCL
    Ефремов А.М., Юдина А.В., Светцов В.И.
    Теплофизика высоких температур. 2012. Т. 50. № 1. С. 33.
     
  94. ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ И СОСТАВ ПЛАЗМЫ В СМЕСЯХ HCL CL2
    Ефремов А.М., Юдина А.В., Светцов В.И.
    Теплофизика высоких температур. 2012. Т. 50. № 6. С. 746.
     
  95. КИНЕТИКА РОСТА И ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПЛЕНОК, ОСАЖДЕННЫХ В ТЛЕЮЩЕМ РАЗРЯДЕ МЕТАНА
    Баринов С.М., Светцов В.И., Ефремов А.М.
    Химия высоких энергий. 2012. Т. 46. № 4. С. 324.
  96. ETCHING BEHAVIOR AND MECHANISM OF IN- AND GA-DOPED ZNO THIN FILMS IN INDUCTIVELY COUPLED BCL3/CL2/AR PLASMAS
    Kwon K.H., Kang S., Jang H., Efremov A., Yang H., Kim K.
    Japanese Journal of Applied Physics. 2012. Т. 51. № 7 PART 1. С. 076201.
  97. ETCHING CHARACTERISTICS AND MECHANISMS OF TIO 2 THIN FILMS IN HBR/CL 2/AR INDUCTIVELY COUPLED PLASMA
    Kim D., Jang H., Kang S., Kwon K.H., Efremov A., Yun S.J.
    Japanese Journal of Applied Physics. 2012. Т. 51. № 10. С. 106201.
  98. СПЕКТРАЛЬНЫЙ КОНТРОЛЬ ПРОЦЕССА ТРАВЛЕНИЯ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ В ХЛОРОВОДОРОДЕ
    Дунаев А.В., Пивоваренок С.А., Капинос С.П., Ефремов А.М., Светцов В.И.
    Нанотехника. 2012. № 1 (29). С. 93-95.
  99. ВЛИЯНИЕ ПАРАМЕТРОВ РАЗРЯДА НА КИНЕТИКУ РОСТА ПОЛИМЕРНОЙ ПЛЕНКИ, ПОЛУЧЕННОЙ ПРИ ПЛАЗМЕННОЙ ПОЛИМЕРИЗАЦИИ МЕТАНА
    Баринов С.М., Кучумов А.А., Ефремов А.М., Светцов В.И.
    Наноинженерия. 2012. № 9 (15). С. 3-7.
  100. HFO2 ETCHING MECHANISM IN INDUCTIVELY-COUPLED CL2/AR PLASMA
    Kim M., Min N.K., Kwon K.H., Efremov A., Lee H.W., Park H.H., Hong M.
    Thin Solid Films. 2011. Т. 519. № 20. С. 6708-6711.
  101. ETCHING CHARACTERISTICS AND MECHANISM OF GA-DOPED ZNO THIN FILMS IN INDUCTIVELY-COUPLED HBR/X (X = AR, HE, N2, O2) PLASMAS
    Ham Y.H., Min N.K., Kwon K.H., Efremov A., Lee H.W., Yun S.J., Baek K.H., Do L.M.
    Vacuum. 2011. Т. 85. № 11. С. 1021-1025.
  102. A COMPARATIVE STUDY OF HBR-AR AND HBR-CL2 PLASMA CHEMISTRIES FOR DRY ETCH APPLICATIONS
    Efremov A., Kim Y., Kwon K.H., Lee H.W.
    Plasma Chemistry and Plasma Processing. 2011. Т. 31. № 2. С. 259-271.
  103. ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ПЛАЗМЫ ТЛЕЮЩЕГО РАЗРЯДА ПОСТОЯННОГО ТОКА В СМЕСИ HCL/AR
    Ефремов А.М., Юдина А.В., Светцов В.И.
    Известия высших учебных заведений. Серия: Химия и химическая технология. 2011. Т. 54. № 3. С. 15-18.
  104. ИЗЛУЧЕНИЕ ПЛАЗМЫ ХЛОРИСТОГО ВОДОРОДА
    Давлятшина А.А., Пивоваренок С.А., Дунаев А.В., Ефремов А.М., Светцов В.И.
    Известия высших учебных заведений. Серия: Химия и химическая технология. 2011. Т. 54. № 4. С. 22-25.
  105. КИНЕТИКА АТОМНО-МОЛЕКУЛЯРНЫХ РЕАКЦИЙ И КОНЦЕНТРАЦИИ НЕЙТРАЛЬНЫХ ЧАСТИЦ В ПЛАЗМЕ HCL ЕГО СМЕСЯХ С ХЛОРОМ И ВОДОРОДОМ
    Ефремов А.М., Светцов В.И., Юдина А.В., Лемехов С.С.
    Известия высших учебных заведений. Серия: Химия и химическая технология. 2011. Т. 54. № 1. С. 36-39.
  106. ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ И ЭМИССИОННЫЕ СПЕКТРЫ ПЛАЗМЫ ТЛЕЮЩЕГО РАЗРЯДА В ХЛОРИСТОМ ВОДОРОДЕ
    Пивоваренок С.А., Дунаев А.В., Мурин Д.Б., Ефремов А.М., Светцов В.И.
    Известия высших учебных заведений. Серия: Химия и химическая технология. 2011. Т. 54. № 9. С. 48-52.
  107. КИНЕТИКА АТОМНО-МОЛЕКУЛЯРНЫХ РЕАКЦИЙ И КОНЦЕНТРАЦИИ НЕЙТРАЛЬНЫХ ЧАСТИЦ В ПЛАЗМЕ HCL И ЕГО СМЕСЕЙ С ХЛОРОМ И ВОДОРОДОМ
    Ефремов А.М., Юдина А.В., Светцов В.И.
    Микроэлектроника. 2011. Т. 54. № 3. С. 15.
  108. ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ И СОСТАВ ПЛАЗМЫ В СМЕСЯХ HCL H2
    Ефремов А.М., Юдина А.В., Светцов В.И.
    Микроэлектроника. 2011. Т. 40. № 6. С. 405-412.
     
  109. СПЕКТРАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ТРАВЛЕНИЯ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ В ПЛАЗМЕ HCL
    Дунаев А.В., Пивоварёнок С.А., Капинос С.П., Ефремов А.М., Светцов В.И.
    Микроэлектроника. 2011. Т. 40. № 6. С. 413-417.
     
  110. ВЛИЯНИЕ СОСТАВА СМЕСИ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ И СПЕКТРЫ ИЗЛУЧЕНИЯ ПЛАЗМЫ HCL O2 И HCL–AR
    Пивоваренок С.А., Дунаев А.В., Мурин Д.Б., Ефремов А.М., Светцов В.И.
    Теплофизика высоких температур. 2011. Т. 49. № 4. С. 509-512.
     
  111. ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ И СОСТАВ ПЛАЗМЫ ТЛЕЮЩЕГО РАЗРЯДА ПОСТОЯННОГО ТОКА В СМЕСЯХ HBR/H2
    Ефремов А.М., Смирнов А.А., Светцов В.И.
    Теплофизика высоких температур. 2011. Т. 49. № 5. С. 670-675.
     
  112. ETCHING CHARACTERISTICS AND MECHANISMS OF PB(ZR,TI)O3, PT, AND SIO2 IN AN INDUCTIVELY COUPLED HBR/CL2 PLASMA
    Kwon K.H., Kim Y., Efremov A., Lee C.W., Kim K.
    Japanese Journal of Applied Physics. 2011. Т. 50. № 6 PART 1. С. 066502.
  113. ON THE DRY ETCH MECHANISMS OF Y2O3, SIO2, AND SI3N4 IN A CL2/BCL3 INDUCTIVELY COUPLED PLASMA
    Kwon K.H., Kim Y., Efremov A., Kim K.
    Journal of the Korean Physical Society. 2011. Т. 58. № 3. С. 467-471.
  114. ETCHING CHARACTERISTICS AND MECHANISMS OF SIC THIN FILMS IN INDUCTIVELY-COUPLED HBR-AR, N2, O2 PLASMAS
    Efremov A., Kang S., Kwon K.H., Choi W.S.
    Journal of Vacuum Science and Technology A. 2011. Т. 29. № 6. С. 06B103.
  115. Dunaev A.V., Pivovarenok S.A., Kapinos S.P., Efremov A.M., Svettsov V.I.
    Microelectronics. 2011. Т. 40. № 6. С. 413.
  116. ПЛАЗМЕННОЕ НАНОРАЗМЕРНОЕ ТРАВЛЕНИЕ GAAS В ХЛОРЕ И ХЛОРОВОДОРОДЕ
    Пивоваренок С.А., Дунаев А.В., Ефремов А.М., Светцов В.И.
    Нанотехника. 2011. № 1 (25). С. 69-71.
  117. PLASMA PARAMETERS AND ACTIVE PARTICLES KINETICS IN HBR DC GLOW DISCHARGES
    Smirnov A., Efremov A., Svettsov V., Islyaykin A.
    В сборнике: Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering. sponsors: Russian Academy of Sciences, Russian Foundation for Basic Research, Carl Zeiss AG, TechnoInfo Ltd., JSC Mikron. 2010. С. 752108.
  118. КИНЕТИКА ТРАВЛЕНИЯ GAAS В ХЛОРНОЙ ПЛАЗМЕ
    Дунаев А.В., Пивоваренок С.А., Ефремов А.М., Светцов В.И.
    Известия высших учебных заведений. Серия: Химия и химическая технология. 2010. Т. 53. № 5. С. 53-56.
  119. ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ПЛАЗМЫ В СМЕСЯХ HBR-AR И HBR-HE ПЕРЕМЕННОГО СОСТАВА
    Смирнов А.А., Ефремов А.М., Светцов В.И.
    Известия высших учебных заведений. Серия: Химия и химическая технология. 2010. Т. 53. № 9. С. 55-57.
  120. ВЛИЯНИЕ ДОБАВОК AR И HE НА ПАРАМЕТРЫ И СОСТАВ ПЛАЗМЫ HBR
    Смирнов А.А., Ефремов А.М., Светцов В.И.
    Микроэлектроника. 2010. Т. 39. № 5. С. 392-400.
     
  121. ПАРАМЕТРЫ И СОСТАВ ПЛАЗМЫ HBR В УСЛОВИЯХ ТЛЕЮЩЕГО РАЗРЯДА ПОСТОЯННОГО ТОКА
    Смирнов А.А., Ефремов А.М., Светцов В.И.
    Микроэлектроника. 2010. Т. 39. № 6. С. 443-451.
     
  122. КИНЕТИКА И МЕХАНИЗМЫ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ GAAS В ХЛОРЕ И ХЛОРОВОДОРОДЕ
    Дунаев А.В., Пивоваренок С.А., Семенова О.А., Капинос С.П., Ефремов А.М., Светцов В.И.
    Физика и химия обработки материалов. 2010. № 6. С. 42-46.
  123. ПАРАМЕТРЫ ПЛАЗМЫ HCL И HBR В УСЛОВИЯХ ТЛЕЮЩЕГО РАЗРЯДА ПОСТОЯННОГО ТОКА
    Ефремов А.М., Смирнов А.А., Светцов В.И.
    Химия высоких энергий. 2010. Т. 44. № 3. С. 277-281.
     
  124. ETCHING CHARACTERISTICS OF IN2O3 AND SNO2 THIN FILMS IN AN INDUCTIVELY COUPLED HBR/AR PLASMA: EFFECTS OF GAS MIXING RATIO AND BIAS POWER
    Kwon K.H., Kim M., Min N.K., Jeong J., Efremov A., Kim K.
    Japanese Journal of Applied Physics. 2010. Т. 49. № 3 PART 1.
  125. ETCHING CHARACTERISTICS AND MECHANISM OF ZNO AND GA-DOPED ZNO THIN FILMS IN INDUCTIVELY COUPLED HBR/AR/CHF3 PLASMA
    Ham Y.H., Min N.K., Kwon K.H., Efremov A., Lee H.W., Yun S.J., Kim K.
    Japanese Journal of Applied Physics. 2010. Т. 49. № 8 PART 2. С. 08JB03.
  126. EFFECT OF GAS MIXING RATIO ON ETCH BEHAVIOR OF Y2O3 THIN FILMS IN CL2/AR AND BCL3/AR INDUCTIVELY COUPLED PLASMAS
    Kim M., Min N.K., Kwon K.H., Efremov A., Hong M., Park H.H., Baek K.H.
    Japanese Journal of Applied Physics. 2010. Т. 49. № 8 PART 2. С. 08JB04.
  127. A MODEL-BASED ANALYSIS OF PLASMA PARAMETERS AND COMPOSITION IN HBR/X (X=AR, HE, N2) INDUCTIVELY COUPLED PLASMAS
    Kwon K.H., Kim M., Min N.K., Jeong J., Efremov A., Kim K.
    Journal of the Electrochemical Society. 2010. Т. 157. № 5. С. H574-H579.
  128. ETCHING CHARACTERISTICS AND MECHANISM OF INDIUM TIN OXIDE FILMS IN AN INDUCTIVELY COUPLED HBR/AR PLASMA
    Kwon K.H., Ham Y.H., Min N.K., Efremov A., Lee H.W., Hong M.P., Kim K.
    Journal of Vacuum Science and Technology A. 2010. Т. 28. № 1. С. 11-15.
  129. ETCH MECHANISM OF IN2 O3 AND SNO2 THIN FILMS IN HBR-BASED INDUCTIVELY COUPLED PLASMAS
    Kwon K.H., Kim M., Min N.K., Jeong J., Efremov A., Hong M., Kim K.
    Journal of Vacuum Science and Technology A. 2010. Т. 28. № 2. С. 226-231.
  130. ТЕХНОЛОГИЯ ПЛАЗМЕННОГО НАНОРАЗМЕРНОГО ТРАВЛЕНИЯ МЕТАЛЛОВ И ПОЛУПРОВОДНИКОВ В БИНАРНЫХ ХЛОРСОДЕРЖАЩИХ ГАЗОВЫХ СМЕСЯХ
    Ефремов A.M., Светцов В.И., Пивоваренок С.Л., Дунаев Л.В.
    Нанотехника. 2010. № 2 (22). С. 77-80.
  131. ETCHING CHARACTERISTICS AND MECHANISM OF ZNO THIN FILMS IN INDUCTIVELY COUPLED HBR/AR PLASMA
    Ham Y.H., Min N.K., Kwon K.H., Efremov A., Yun S.J., Kim J.K.
    Thin Solid Films. 2009. Т. 517. № 14. С. 4242-4245.
  132. КИНЕТИЧЕСКИЕ И ТРАНСПОРТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПРОЦЕССОВ ПОД ДЕЙСТВИЕМ ЭЛЕКТРОННОГО УДАРА В HBR
    Смирнов А.А., Ефремов А.М., Светцов В.И.
    Известия высших учебных заведений. Серия: Химия и химическая технология. 2009. Т. 52. № 11. С. 48-51.
  133. ПАРАМЕТРЫ ПЛАЗМЫ И МЕХАНИЗМЫ ТРАВЛЕНИЯ МЕТАЛЛОВ И ПОЛУПРОВОДНИКОВ В ХЛОРОВОДОРОДЕ
    Ефремов А.М., Пивоваренок С.А., Светцов В.И.
    Микроэлектроника. 2009. Т. 38. № 3. С. 163-175.
     
  134. ETCHING CHARACTERISTICS OF VO2 THIN FILMS USING INDUCTIVELY COUPLED CL2/AR PLASMA
    Ham Y.H., Min N.K., Kwon K.H., Efremov A., Lee H.W., Yun S.J.
    Japanese Journal of Applied Physics. 2009. Т. 48. № 8 Part 2. С. 08HD041-08HD045.
  135. ETCHING CHARACTERISTICS AND MECHANISM OF VANADIUM DIOXIDE IN INDUCTIVELY COUPLED CL2/AR PLASMA
    Lee T., Ham Y.H., Min N.K., Kwon K.H., Efremov A., Yun S.J., Hong M.
    Journal of Micro/ Nanolithography, MEMS, and MOEMS. 2009. Т. 8. № 2. С. 021110.
  136. EFFECT OF GAS MIXING RATIO ON ETCH BEHAVIORS OF BA2TI9O20 (BTO) AND PT THIN FILMS IN CL2/AR INDUCTIVELY COUPLED PLASMA
    Efremov A., Min N.-K., Kim M., Kwon K.-H., Kim S., Nahm S.
    Microelectronic Engineering. 2008. Т. 85. № 7. С. 1584-1589.
  137. ON THE ETCHING MECHANISM OF ZRO2 THIN FILMS IN INDUCTIVELY COUPLED BCL3/AR PLASMA
    Kim M., Min N.K., Kwon K.H., Yun S.J., Lee H.W., Efremov A.
    Microelectronic Engineering. 2008. Т. 85. № 2. С. 348-354.
  138. A COMPARATIVE STUDY OF PLASMA PARAMETERS AND GAS PHASE COMPOSITIONS IN CL2 AND HCL DIRECT CURRENT GLOW DISCHARGES
    Efremov A.M., Svettsov V.I., Sitanov D.V., Balashov D.I.
    Thin Solid Films. 2008. Т. 516. № 10. С. 3020-3027.
  139. ETCHING CHARACTERISTICS OF AL2O3 THIN FILMS IN INDUCTIVELY COUPLED BCL3/AR PLASMA
    Yun S.J., Kim D.W., Lim J.W., Kim Y.H., Chung C.H., Park D.J., Efremov A., Kim M., Kwon K.H.
    Vacuum. 2008. Т. 82. № 11. С. 1198-1202.
  140. MODEL-BASED ANALYSIS OF THE SILICA GLASS FILM ETCH MECHANISM IN CF4/O2 INDUCTIVELY COUPLED PLASMA
    Kim M., Min N.K., Kwon K.H., Efremov A., Lee H.W., Park C.S.
    Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 2008. Т. 19. № 10. С. 957-964.
  141. СУХОЕ ТРАВЛЕНИЕ АЛЮМИНИЯ В ХЛОРЕ
    Пивоваренок С.А., Дунаев А.В., Ефремов А.М., Светцов В.И.
    Известия высших учебных заведений. Серия: Химия и химическая технология. 2008. Т. 51. № 11. С. 17-21.
  142. КИНЕТИКА И МЕХАНИЗМЫ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ АЛЮМИНИЯ В ХЛОРЕ
    Пивоваренок С.А., Дунаев А.В., Ефремов А.М., Светцов В.И.
    Известия высших учебных заведений. Серия: Химия и химическая технология. 2008. Т. 51. № 11. С. 70-73.
  143. ПАРАМЕТРЫ ПЛАЗМЫ И КИНЕТИКА ОБРАЗОВАНИЯ И ГИБЕЛИ АКТИВНЫХ ЧАСТИЦ В РАЗРЯДЕ В ХЛОРЕ
    Ефремов А.М., Светцов В.И., Ситанов Д.В.
    Теплофизика высоких температур. 2008. Т. 46. № 1. С. 15-22.
     
  144. СПЕКТРАЛЬНЫЕ ИЗМЕРЕНИЯ ВЕРОЯТНОСТИ РЕКОМБИНАЦИИ АКТИВНЫХ ЧАСТИЦ ПЛАЗМЫ НА ТВЕРДЫХ ПОВЕРХНОСТЯХ В ХЛОРЕ И ЕГО СМЕСЯХ С ИНЕРТНЫМИ И МОЛЕКУЛЯРНЫМИ ГАЗАМИ
    Ситанов Д.В., Светцов В.И., Ефремов А.М.
    Теплофизика высоких температур. 2008. Т. 46. № 3. С. 336-341.
     
  145. ПАРАМЕТРЫ ПЛАЗМЫ И КИНЕТИКА ОБРАЗОВАНИЯ И ГИБЕЛИ АКТИВНЫХ ЧАСТИЦ В СМЕСЯХ ХЛОРА С АЗОТОМ
    Ефремов А.М., Ситанов Д.В., Светцов В.И.
    Теплофизика высоких температур. 2008. Т. 46. № 4. С. 514-521.
     
  146. MODEL-BASED ANALYIS OF THE ZRO2 ETCHING MECHANISM IN INDUCTIVELY COUPLED BCL3/AR AND BCL3/CHF3/AR PLASMAS
    Kim M., Min N.-K., Kwon K.-H., Yun S.J., Lee H.W., Efremov A.M.
    ETRI Journal. 2008. Т. 30. № 3. С. 383-393.
  147. ETCHING CHARACTERISTICS AND MECHANISM OF INP IN INDUCTIVELY COUPLED HBR/AR PLASMA
    Lee H.W., Kim M., Min N.K., Kwon K.H., Efremov A., Lee C.M.W.
    Japanese Journal of Applied Physics. 2008. Т. 47. № 8 PART 3. С. 6917-6922.
  148. ETCH MECHANISM OF BA2 TI9 O20 DIELECTRIC THIN FILM IN INDUCTIVELY COUPLED CL2 AR PLASMA
    Efremov A., Kim M., Min N.K., Kwon K.H.
    Journal of the Electrochemical Society. 2008. Т. 155. № 6. С. 468-473.
  149. MODEL-BASED ANALYSIS OF PLASMA PARAMETERS AND ACTIVE SPECIES KINETICS IN CL2 X (X=AR, HE, N2) INDUCTIVELY COUPLED PLASMAS
    Efremov A., Min N.K., Kwon K.H., Choi B.G., Baek K.H.
    Journal of the Electrochemical Society. 2008. Т. 155. № 12. С. 777-782.
  150. NAM-KI MIN, BOK-GIL CHOI, KYU-HA BAEK, KWANG-HO KWON. MODEL-BASED ANALYSIS OF PLASMA PARAMETERS AND ACTIVE SPECIES KINETICS IN CL2/X (X = AR, HE, N2) INDUCTIVELY COUPLED PLASMAS
    Efremov A.M.
    Journal of the Electrochemical Society. 2008. Т. 155. № 12. С. 782.
  151. ON THE EFFECT OF OXYGEN ON THE ETCH BEHAVIOR OF ZRO2 IN AN INDUCTIVELY COUPLED BCL3/O2 PLASMA
    Efremov A., Min N.K., Kwon K.H., Yun S.J., Lee H.W., Hong M.
    Journal of the Korean Physical Society. 2008. Т. 53. № 4. С. 1931-1938.
  152. PLASMA PARAMETERS AND ACTIVE SPECIES KINETICS IN AN INDUCTIVELY COUPLED HBR PLASMA
    Efremov A., Choi B.G., Nahm S., Lee H.W., Min N.K., Kwon K.H.
    Journal of the Korean Physical Society. 2008. Т. 52. № 1. С. 48-55.
  153. EFFECT OF GAS MIXING RATIO ON ETCH BEHAVIOR OF ZRO2 THIN FILMS IN CL2 -BASED INDUCTIVELY COUPLED PLASMAS
    Efremov A., Min N.K., Kwon K.H., Jin S.
    Journal of Vacuum Science and Technology A. 2008. Т. 26. № 6. С. 1480-1486.
  154. ETCHING CHARACTERISTICS AND MECHANISM OF GE2 SB2 TE5 THIN FILMS IN INDUCTIVELY COUPLED CL2 AR PLASMA
    Min N.K., Kim Y.H., Kim M., Kwon K.H., Efremov A., Park H.H., Lee H.W.
    Journal of Vacuum Science and Technology A. 2008. Т. 26. № 2. С. 205-211.
  155. EFFECT OF GAS MIXING RATIO ON ETCH BEHAVIOR OF ZR O2 THIN FILMS IN B CL3 HE INDUCTIVELY COUPLED PLASMA
    Kim M., Min N.K., Kwon K.H., Yun S.J., Lee H.W., Efremov A.
    Journal of Vacuum Science and Technology A. 2008. Т. 26. № 3. С. 344-351.
  156. ON THE APPLICABILITY OF SELF-CONSISTENT GLOBAL MODEL FOR THE CHARACTERIZATION OF CL2/AR INDUCTIVELY COUPLED PLASMA
    Efremov A.M., Bogomolov A.V., Kim G.-H., Kim J.-G., Kim C.-I.
    Microelectronic Engineering. 2007. Т. 84. № 1. С. 136-143.
  157. ETCHING CHARACTERISTICS AND MECHANISMS OF THE MGO THIN FILMS IN THE CF4/AR INDUCTIVELY COUPLED PLASMA
    Efremov A., Woo J.C., Kim G.H., Kim C.I.
    Microelectronic Engineering. 2007. Т. 84. № 4. С. 638-645.
  158. SELF-CONSISTENT GLOBAL MODEL FOR INDUCTIVELY COUPLED CL2 PLASMA: COMPARISON WITH EXPERIMENTAL DATA AND APPLICATION FOR THE ETCH PROCESS ANALYSIS
    Efremov A.M., Kim G.-H., Kim J.-G., Kim C.-I.
    Thin Solid Films. 2007. Т. 515. № 13. С. 5395-5402.
  159. APPLICABILITY OF SELF-CONSISTENT GLOBAL MODEL FOR CHARACTERIZATION OF INDUCTIVELY COUPLED CL2 PLASMA
    Efremov A.M., Bogomolov A.V., Kim G.-H., Kim J.-G., Kim C.-I.
    Vacuum. 2007. Т. 81. № 5. С. 669-675.
  160. ВЛИЯНИЕ СОСТАВА СМЕСИ ХЛОР-ВОДОРОД НА ИНТЕНСИВНОСТИ ИЗЛУЧЕНИЯ И КОНЦЕНТРАЦИИ АКТИВНЫХ ЧАСТИЦ В ПЛАЗМЕ
    Ефремов А.М., Изгородин А.И., Оченков В.С., Светцов В.И.
    Известия высших учебных заведений. Серия: Химия и химическая технология. 2007. Т. 50. № 11. С. 34-38.
  161. СПЕКТРАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ТРАВЛЕНИЯ МЕДИ В ПЛАЗМЕ ТЛЕЮЩЕГО РАЗРЯДА В СМЕСИ ХЛОРА С ВОДОРОДОМ
    Ефремов А.М., Изгородин А.И., Оченков В.С., Светцов В.И.
    Известия высших учебных заведений. Серия: Химия и химическая технология. 2007. Т. 50. № 10. С. 69-73.
  162. КИНЕТИКА И МЕХАНИЗМЫ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ МЕДИ В ХЛОРЕ И ХЛОРОВОДОРОДЕ
    Ефремов А.М., Пивоварёнок С.А., Светцов В.И.
    Микроэлектроника. 2007. Т. 36. № 6. С. 409-417.
     
  163. ETCH CHARACTERISTICS OF GE2SB2TE5 (GST), SIO2 AND A PHOTORESIST IN AN INDUCTIVELY COUPLED CL2/AR PLASMA
    Min N.K., Kim M., Kwon K.H., Efremov A., Lee H.W., Kim S.
    Journal of the Korean Physical Society. 2007. Т. 51. № 5. С. 1686-1694.
  164. ВАКУУМНО-ПЛАЗМЕННЫЕ ПРОЦЕССЫ И ТЕХНОЛОГИИ
    Ефремов А.М., Светцов В.И., Рыбкин В.В.
    учебное пособие для студентов высших учебных заведений, обучающихся по специальности "Химическая технология монокристаллов, материалов и изделий электронной техники" / А. М. Ефремов, В. И. Светцов, В. В. Рыбкин ; Федеральное агентство по образованию Российской Федерации, Гос. образовательное учреждение высш. проф. образования Ивановский гос. химико-технологический ун-т. Иваново, 2006.
  165. A SELF-CONSISTENT MODEL FOR THE HCL DC GLOW DISCHARGE: PLASMA PARAMETERS AND ACTIVE PARTICLES KINETICS
    Efremov A.M., Svettsov V.I.
    В сборнике: Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering. Micro- and Nanoelectronics 2005. Сер. "Micro- and Nanoelectronics 2005" sponsors: Russian Ministry of Education and Sciences, NIX Company, Russia, Carl Zeiss, Germany, NT-MDT Company, Russia, FEI Company, The Netherlands. Zvenigorod, 2006. С. 626009.
  166. PLASMA PARAMETERS AND CHEMICAL KINETICS OF AN HCL DC GLOW DISCHARGE
    Efremov A.M., Balashov D.I., Kim G.H., Kim C.I.
    Vacuum. 2006. Т. 81. № 3. С. 244-250.
  167. ПАРАМЕТРЫ ПЛАЗМЫ И КИНЕТИКА ОБРАЗОВАНИЯ И ГИБЕЛИ АКТИВНЫХ ЧАСТИЦ ПРИ РАЗРЯДЕ В НСL
    Ефремов A.М., Светцов В.И.
    Теплофизика высоких температур. 2006. Т. 44. № 2. С. 195-204.
     
  168. ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В НЕРАВНОВЕСНОЙ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЙ ПЛАЗМЕ ХЛОРСОДЕРЖАЩИХ ГАЗОВ, ВЗАИМОДЕЙСТВУЮЩЕЙ С ТВЕРДЫМИ НЕОРГАНИЧЕСКИМИ МАТЕРИАЛАМИ
    Ефремов А.М.
    автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора химических наук / Институт химии растворов Российской академии наук. Иваново, 2005
  169. ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В НЕРАВНОВЕСНОЙ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЙ ПЛАЗМЕ ХЛОРСОДЕРЖАЩИХ ГАЗОВ, ВЗАИМОДЕЙСТВУЮЩЕЙ С ТВЕРДЫМИ НЕОРГАНИЧЕСКИМИ МАТЕРИАЛАМИ
    Ефремов А.М.
    диссертация на соискание ученой степени доктора химических наук / Иваново, 2005
  170. INDUCTIVELY COUPLED CL2/N2 PLASMA: EXPERIMENTAL INVESTIGATION AND MODELING
    Kim G.-H., Kim D.-P., Kim C.-I., Efremov A.M.
    Microelectronic Engineering. 2005. Т. 81. № 1. С. 96-105.
  171. ETCHING CHARACTERISTICS OF PB(ZR,TI)O3 THIN FILMS IN CL 2/AR AND CF4/AR INDUCTIVELY COUPLED PLASMAS: EFFECT OF GAS MIXING RATIOS
    Efremov A.M., Kim D.-P., Kim C.-I.
    Thin Solid Films. 2005. Т. 474. № 1-2. С. 267-274.
  172. ETCHING CHARACTERISTICS AND MECHANISMS OF SRBI2TA 2O9 THIN FILMS IN CF4/AR AND CL2/AR INDUCTIVELY COUPLED PLASMAS
    Efremov A.M., Kim D.-P., Kim C.-I.
    Thin Solid Films. 2005. Т. 471. № 1-2. С. 328-335.
  173. EFFECT OF GAS MIXING RATIO ON MGO ETCH BEHAVIOUR IN INDUCTIVELY COUPLED BCL3/AR PLASMA
    Kim G.H., Kim C.I., Efremov A.M.
    Vacuum. 2005. Т. 79. № 3-4. С. 231-240.
  174. PLASMA PARAMETERS AND VOLUME KINETICS IN CL2/O2 MIXTURES
    Efremov A., Park C.S., Choi S.I., Kim C.I., Chai S.H., Kwon K.H.
    Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 2005. Т. 16. № 6. С. 315-321.
  175. VOLUME AND HETEROGENEOUS CHEMISTRY IN CL2/AR INDUCTIVELY COUPLED PLASMA
    Efremov A., Svettsov V., Kim C.I.
    В сборнике: Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering. sponsors: Ministry of Industry, Sciences, and Technologies of Russia, NIX Company, Russia, Carl Zeiss, Germany, NT-MDT Company, Russia; editors: Valiev K.A., Orlikovsky A.A., FTIAN- Institute of Physics and Tec., Russia. 2004. С. 64-71.
  176. ETCHING MECHANISM OF AU THIN FILMS IN CL2/AR INDUCTIVELY COUPLED PLASMA
    Efremov A., Svettsov V., Kim C.I.
    В сборнике: Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering. sponsors: Ministry of Industry, Sciences, and Technologies of Russia, NIX Company, Russia, Carl Zeiss, Germany, NT-MDT Company, Russia; editors: Valiev K.A., Orlikovsky A.A., FTIAN- Institute of Physics and Tec., Russia. 2004. С. 72-78.
  177. ETCHING MECHANISMS OF (BA,SR)TIO3 THIN FILMS IN CF 4/AR INDUCTIVELY COUPLED PLASMA
    Efremov A.M., Kim D.P., Kim K.T., Kim C.I.
    Microelectronic Engineering. 2004. Т. 71. № 1. С. 54-62.
  178. ETCHING MECHANISM OF BI4-XLAXTI3O 12 FILMS IN AR/CL2 INDUCTIVELY COUPLED PLASMA
    Kim D.-P., Kim K.-T., Kim C.-I., Efremov A.M.
    Thin Solid Films. 2004. Т. 447-448. С. 343-348.
  179. EFFECT OF GAS MIXING RATIO ON GAS-PHASE COMPOSITION AND ETCH RATE IN AN INDUCTIVELY COUPLED CF4/AR PLASMA
    Efremov A.M., Kim D.-P., Kim C.-I.
    Vacuum. 2004. Т. 75. № 2. С. 133-142.
  180. INDUCTIVELY COUPLED CL2/O2 PLASMA: EXPERIMENTAL INVESTIGATION AND MODELLING
    Efremov A.M., Kim D.-P., Kim C.-I.
    Vacuum. 2004. Т. 75. № 3. С. 237-246.
  181. ETCHING CHARACTERISTICS AND MECHANISM OF PB(ZR,TI)O3 THIN FILMS IN CF4/AR INDUCTIVELY COUPLED PLASMA
    Efremov A.M., Kim D.P., Kim K.T., Kim C.I.
    Vacuum. 2004. Т. 75. № 4. С. 321-329.
  182. ETCHING MECHANISM OF PB(ZR,TI)O3 THIN FILMS IN CL2/AR PLASMA
    Efremov A.M., Kim D.P., Kim K.T., Kim C.I.
    Plasma Chemistry and Plasma Processing. 2004. Т. 24. № 1. С. 13-28.
  183. SIMPLE MODEL FOR ION-ASSISTED ETCHING USING CL2-AR INDUCTIVELY COUPLED PLASMA: EFFECT OF GAS MIXING RATIO
    Efremov A.M., Kim D.P., Kim C.I.
    IEEE Transactions on Plasma Science. 2004. Т. 32. № 3 II. С. 1344-1351.
  184. ВЕРОЯТНОСТИ ГИБЕЛИ АТОМОВ И КОНЦЕНТРАЦИИ АКТИВНЫХ ЧАСТИЦ В ПЛАЗМЕ ХЛОРА
    Ефремов А.М., Светцов В.И.
    Известия высших учебных заведений. Серия: Химия и химическая технология. 2004. Т. 47. № 2. С. 104.
  185. Svettsov V.I., Efremov A.M.
    Известия высших учебных заведений. Серия: Химия и химическая технология. 2004. Т. 47. № 2. С. 205.
  186. Kim D.-P., Kim K.-T., Efremov A.M., Kim C.I.
    Journal of the Korean Physical Society. 2004. Т. 44. С. 1.
  187. ETCHING MECHANISM OF MGO THIN FILMS IN INDUCTIVELY COUPLED CL 2/AR PLASMA
    Efremov A.M., Koo S.-M., Kim D.-P., Kim K.-T., Kim C.-I.
    Journal of Vacuum Science and Technology A. 2004. Т. 22. № 5. С. 2101-2106.
  188. Efremov A.M., Kim D.P., Kim C.I.
    Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures. 2004. Т. 75. С. 133.
  189. THE SIMPLE MODEL FOR ION-ASSISTED ETCHING USING CL2/AR INDUCTIVELY COUPLED PLASMA
    Efremov A.M., Kim D.P., Kim C.I.
    В сборнике: IEEE International Conference on Plasma Science. sponsors: Plasma Science and Applications Committee of IEEE. 2003. С. 130.
  190. DRY ETCHING CHARACTERISTICS OF (BA0.6,SR0.4)TIO 3 THIN FILMS IN HIGH DENSITY CF4/AR PLASMA
    Kang P.S., Kim K.T., Kim D.P., Kim C.I., Efremov A.M.
    Surface and Coatings Technology. 2003. Т. 171. № 1-3. С. 273-279.
  191. ON MECHANISMS OF ARGON ADDITION INFLUENCE ON ETCHING RATE IN CHLORINE PLASMA
    Efremov A.M., Kim D.-P., Kim C.-I.
    Thin Solid Films. 2003. Т. 435. № 1-2. С. 232-237.
  192. VOLUME AND HETEROGENEOUS CHEMISTRY OF ACTIVE SPECIES IN CHLORINE PLASMA
    Efremov A.M., Kim D.-P., Kim C.-I.
    Thin Solid Films. 2003. Т. 435. № 1-2. С. 83-88.
  193. THE ETCHING MECHANISM OF (ZR0.8SN0.2)TIO4(ZST) FILM BY USING CL2/O2-GAS PLASMA
    Efremov A.M., Yeom G.-Y., Kang Y.I., Kwon K.-H.
    Journal of the Korean Physical Society. 2003. Т. 42. № SUPPL.2.
  194. EFFECT OF THE GAS MIXING RATIO ON THE PLASMA PARAMETERS AND THE GAS PHASE COMPOSITION IN CL2/CF4 INDUCTIVELY COUPLED PLASMAS
    Efremov A.M., Kim D.-P., Kim C.-I.
    Journal of the Korean Physical Society. 2003. Т. 43. № 6. С. 1042-1048.
  195. INVESTIGATION OF SRBI2TA2O9 THIN FILMS ETCHING MECHANISMS IN CL2/AR PLASMA
    Efremov A.M., Kim D.P., Kim C.I.
    Journal of Vacuum Science and Technology A. 2003. Т. 21. № 4. С. 1017-1023.
  196. INDUCTIVELY COUPLED CL2/AR PLASMA: EXPERIMENTAL INVESTIGATION AND MODELING
    Efremov A.M., Kim D.P., Kim C.I.
    Journal of Vacuum Science and Technology A. 2003. Т. 21. № 4. С. 1568-1573.
  197. ETCHING CHARACTERISTICS AND MECHANISM OF AU THIN FILMS IN INDUCTIVELY COUPLED CL2/AR PLASMA
    Efremov A.M., Kim D.-P., Kim C.-I.
    Journal of Vacuum Science and Technology A. 2003. Т. 21. № 6. С. 1837-1842.
  198. DRY ETCHING OF COPPER USING CHLORINE: A REVIEW
    Efremov A.M., Svettsov V.I.
    Russian Microelectronics. 2002. Т. 31. № 3. С. 179-192.
  199. ТРАВЛЕНИЕ МЕДИ В ХЛОРЕ
    Светцов В.И., Ефремов А.М.
    Микроэлектроника. 2002. Т. 31. № 3. С. 211-226.
  200. REGULARITIES IN COPPER SPUTTERING UNDER DISCHARGE IN CHLORINE AND TETRACHLORINEMETHANE
    Svetsov V.I., Efremov A.M., Malanov K.A.
    Физика и химия обработки материалов. 2002. № 6. С. 32-36.
  201. ETCHING OF GALLIUM ARSENIDE IN A CL2 + H2 PLASMA
    Efremov A.M., Antonov A.V.
    Russian Microelectronics. 2001. Т. 30. № 1. С. 1-6.
  202. Efremov A.M., Kwon K.H.
    Semiconductor Science and Technology. 2001. Т. 1. С. 197.
  203. MECHANISMS OF CL2 MOLECULES DISSOCIATION IN A GAS DISCHARGE PLASMA IN MIXTURES WITH AR, O2, N2
    Efremov A.M., Kwon K.H.
    Journal of Semiconductor Technology and Science. 2001. Т. 1. № 4. С. 197-201.
  204. PLASMOCHEMICAL ETCHING OF GAAS IN CHLORINE-ARGON MIXTURES
    Ovchinnikov N.L., Svettsov V.I., Efremov A.M.
    Russian Microelectronics. 1999. Т. 28. № 1. С. 13-17.
  205. ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОЕ ТРАВЛЕНИЕ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ В СМЕСЯХ ХЛОР-ВОДОРОД
    Ефремов А.М., Антонов А.В., Светцов В.И., Овчинников Н.Л.
    Физика и химия обработки материалов. 1999. № 4. С. 31-34.
  206. МЕХАНИЗМ ОБРАЗОВАНИЯ АТОМОВ В ПЛАЗМЕ СМЕСЕЙ ХЛОРА С АЗОТОМ
    Ситанов Д.В., Светцов В.И., Ефремов А.М.
    Химия высоких энергий. 1999. Т. 33. № 2. С. 137-141.
     
  207. COMPILATION OF CROSS SECTION DATA OF ELEMENTARY PROCESSES OF HCI APPLICABLE FOR PLASMA MODELING
    Efremov A.M., Svetsov V.I., Balashov D.I.
    Contributions to Plasma Physics. 1999. Т. 39. № 3. С. 247-250.
  208. Efremov A.M., Svettsov V.I., Sitanov D.V.
    High Energy Chemistry. 1998. Т. 32. С. 123.
  209. Balashov D.I., Kirillov Y.V., Efremov A.M.
    High Energy Chemistry. 1998. Т. 32. С. 302.
  210. ОСОБЕННОСТИ ТРАВЛЕНИЯ КРЕМНИЯ В СМЕСИ CL2 С AR НА КАТОДЕ ТЛЕЮЩЕГО РАЗРЯДА ПОСТОЯННОГО ТОКА
    Овчинников Н.Л., Светцов В.И., Ефремов А.М.
    Неорганические материалы. 1998. Т. 34. № 5. С. 519-520.
     
  211. ДИССОЦИАЦИЯ МОЛЕКУЛ ХЛОРА В ПЛАЗМЕ ТЛЕЮЩЕГО РАЗРЯДА В СМЕСЯХ С АРГОНОМ, КИСЛОРОДОМ, АЗОТОМ
    Ситанов Д.В., Ефремов А.М., Светцов В.И.
    Химия высоких энергий. 1998. Т. 32. № 2. С. 148-151.
  212. ЗАКОНОМЕРНОСТИ ОБРАЗОВАНИЯ И ГИБЕЛИ АКТИВНЫХ ЧАСТИЦ В ПЛАЗМЕ СМЕСИ ХЛОРА С КИСЛОРОДОМ
    Ефремов А.М., Светцов В.И., Ситанов Д.В., Михалкин В.П.
    Химия высоких энергий. 1998. Т. 32. № 3. С. 224-227.
     
  213. PLASMOCHEMICAL ETCHING OF GALLIUM ARSENIDE IN CHLORINE
    Efremov A.M., Ovchinnikov N.L., Svetsov V.I.
    Физика и химия обработки материалов. 1997. № 1. С. 47-51.
  214. ТРАВЛЕНИЕ КРЕМНИЯ НА КАТОДЕ ТЛЕЮЩЕГО РАЗРЯДА В ХЛОРЕ
    Ovchinnikov N.L., Svettsov V.I., Efremov A.M.
    Химия высоких энергий. 1997. Т. 31. № 6. С. 446-448.
  215. EMISSION SPECTRA FROM A GLOW DISCHARGE IN A TETRACHLOROMETHANE FLOW
    Efremov A.M.
    High Energy Chemistry. 1996. Т. 30. № 3. С. 201-204.
  216. ИССЛЕДОВАНИЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ НЕРАВНОВЕСНОЙ ПЛАЗМЫ МОЛЕКУЛЯРНЫХ ГАЗОВ С ПОВЕРХНОСТЬЮ ТВЕРДОГО ТЕЛА
    Светцов В.И., Ефремов А.М., Исляйкин А.М., Маланов К.А., Ситанов Д.В., Чернявский С.Р.
    отчет о НИР  № 95-02-06175 (Российский фонд фундаментальных исследований)
  217. FEATURES OF COPPER ETCHING IN CHLORINE–ARGON PLASMA
    Efremov A.M., Svettsov V.I.
    High Energy Chemistry. 1995. Т. 29. № 4. С. 293.
  218. Efremov A.M., Svettsov V.I.
    High Energy Chemistry. 1995. Т. 24. С. 330.
  219. Efremov A.M., Svettsov V.I.
    High Energy Chemistry. 1995. Т. 29. С. 358.
  220. Efremov A.M., Svettsov V.I.
    High Energy Chemistry. 1995. Т. 29. С. 433.
  221. СУММАРНЫЕ ВЕРОЯТНОСТИ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ХЛОРА С МЕДЬЮ В НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЙ ПЛАЗМЕ
    Ефремов А.М., Светцов В.И., Овчинников Н.Л.
    Известия высших учебных заведений. Серия: Химия и химическая технология. 1995. Т. 38. № 1-2. С. 45.
  222. STUDY OF COPPER SPUTTERING UNDER DISCHARGE IN TETRACHLOROMETHANE VAPORS USING SPECTRAL METHOD
    Efremov A.M., Malanov K.A., Svetsov V.I.
    Физика и химия обработки материалов. 1995. № 4. С. 80-84.
  223. ВЛИЯНИЕ ПРОДУКТОВ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ МЕДИ В ХЛОРЕ НА ЭНЕРГЕТИЧЕСКОЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ЭЛЕКТРОНОВ И КИНЕТИЧЕСКИЕ КОЭФФИЦИЕНТЫ ПРОЦЕССОВ С ИХ УЧАСТИЕМ
    Ефремов А.М., Светцов В.И., Михалкин В.П.
    Химия высоких энергий. 1995. Т. 29. № 2. С. 149-150.
  224. ЗАКОНОМЕРНОСТИ ТРАВЛЕНИЯ МЕДИ В ПЛАЗМЕ СМЕСИ ХЛОРА С АРГОНОМ
    Ефремов А.М., Светцов В.И.
    Химия высоких энергий. 1995. Т. 29. № 4. С. 317-318.
  225. CHLORINE-ARGON PLASMA ETCHING OF COPPER: THE PATTERNS OF THE PROCESS
    Efremov A.M., Svettsov V.I.
    Химия высоких энергий. 1995. Т. 29. № 4. С. 330.
  226. ОСОБЕННОСТИ ИЗЛУЧЕНИЯ ПЛАЗМЫ В СМЕСЯХ ХЛОРА С АРГОНОМ
    Ефремов А.М., Светцов В.И.
    Химия высоких энергий. 1995. Т. 29. № 5. С. 387-389.
  227. CHLORINE-ARGON PLASMA EMISSION
    Efremov A.M., Svettsov V.I.
    Химия высоких энергий. 1995. Т. 29. № 5. С. 411.
  228. УТОЧНЕНИЕ СЕЧЕНИЙ ВОЗБУЖДЕНИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ СОСТОЯНИЙ МОЛЕКУЛ ПРИ МАТЕМАТИЧЕСКОМ МОДЕЛИРОВАНИИ ПЛАЗМЫ ХЛОРА
    Ефремов А.М., Светцов В.И., Михалкин В.П.
    Химия высоких энергий. 1995. Т. 29. № 6. С. 467-468.
  229. УТОЧНЕНИЕ СЕЧЕНИЙ ВОЗБУЖДЕНИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ СОСТОЯНИЙ МОЛЕКУЛ ПРИ МАТЕМАТИЧЕСКОМ МОДЕЛИРОВАНИИ ПЛАЗМЫ ХЛОРА
    Ефремов А.М., Светцов В.И., Михалкин В.П.
    Химия высоких энергий. 1995. Т. 29. С. 492.
  230. КИНЕТИКА ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ НЕРАВНОВЕСНОЙ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЙ ПЛАЗМЫ ХЛОРА И СМЕСЕЙ ХЛОР-АРГОН С МЕДЬЮ И ИЗЛУЧЕНИЕ РАЗРЯДА
    Ефремов А.М.
    автореферат дис. ... кандидата химических наук / Ивановская хим.-технол. академия. Иваново, 1994
  231. Efremov A.M., Svettsov V.I.
    High Energy Chemistry. 1993. Т. 27. С. 33.
  232. RADIATION SPECTRUM OF A GLOW DISCHARGE IN CHLORINE
    Efremov A.M., Kupriyanovskaya A.P., Svettsov V.I.
    Journal of Applied Spectroscopy. 1993. Т. 59. № 3. С. 628-632.
  233. СПЕКТР ИЗЛУЧЕНИЯ ТЛЕЮЩЕГО РАЗРЯДА В ХЛОРЕ
    Ефремов А.М., Куприяновская А.П., Светцов В.И.
    Журнал прикладной спектроскопии. 1993. Т. 59. № 3-4. С. 221-225.
  234. О МЕХАНИЗМАХ ВЛИЯНИЯ АРГОНА НА СКОРОСТЬ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ МЕТАЛЛОВ И ПОЛУПРОВОДНИКОВ В ПЛАЗМЕ ХЛОРА
    Куприяновская А.П., Светцов В.И., Ефремов А.М.
    Химия высоких энергий. 1993. Т. 27. № 1. С. 88-91.
  235. ЗАКОНОМЕРНОСТИ ОБРАЗОВАНИЯ И ГИБЕЛИ АКТИВНЫХ ЧАСТИЦ В ПЛАЗМЕ СМЕСИ ХЛОРА С КИСЛОРОДОМ
    Ефремов А.М., Светцов В.И., Ситанов Д.В., Михалкин В.П.
    Химия высоких энергий. 1989. Т. 32. № 3. С. 224.